Si

  硅靶一般可以分为单晶和多晶两种类型。采用直拉晶体生长技术制造单晶,多晶靶材,晶粒均匀,直径可以达到200mm以上,可以加工成长方形,圆形等各种形状,还可以根据用户图纸加工特殊尺寸要求的靶材。

 

产品指标性能参数
密度

2.33g/cm3

熔点163.3W/(m.K) at 273k
热导率4.15*10-6 / ℃
杨氏模量131Gpa
剪切模量
79.9 Gpa
材料纯度>99.999%
生长方法直拉(CZ)
晶相P or N
金属杂质含量(Al/Fe/Ca/Mg/Cu/Co/Ni/Cr/Mn/Ti/Na/K//P/W/Mo/Zn/Sn):<2ppm
长*宽可定制
厚度
可定制